在pc端网站基础上做移动端,四川汉舟电力建设有限公司网站,电子商务网站建设需要开发哪些模块,中国展陈公司前十名MOSFET vs IGBT
MOSFET主要用于低电压和功率系统#xff0c;而IGBT更适合高电压和功率系统。
1. MOSFET#xff08;金属氧化物半导体场效应晶体管#xff09; 优势#xff1a; 高开关速度和响应速度#xff0c;适合高频应用。#xff08;IGBT不适合高频应用#xff0c…MOSFET vs IGBT
MOSFET主要用于低电压和功率系统而IGBT更适合高电压和功率系统。
1. MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管 优势 高开关速度和响应速度适合高频应用。IGBT不适合高频应用它能在千Hz频率下运行良好。MOSFET适合非常高频的应用它可以在兆Hz频率下运行良好。较低的导通压降和导通损耗功率密度高。适用于低至中功率应用例如电源开关、调制器、放大器等。 实际应用例子 电源开关用于电源开关电路中的主要开关器件控制电流的开关和调节。DC-DC转换器在各种电源管理和转换电路中用于能效高和响应快速的要求。调制器和放大器在射频和信号处理应用中用于快速调制和信号处理。
2. IGBT绝缘栅双极型晶体管 优势 高电流密度和低饱和压降适合高电流和高功率应用。导通电阻小功耗低。电压控制控制功耗也低。稳定的导通特性和良好的耐受电压特性。适用于中至高功率应用如变频器、电机驱动器、电磁场的控制等。[对于低频小于20kHz、高压大于1000V、小或窄负载或线路变化、高工作温度以及超过5kw的额定输出功率应用IGBT是首选。而MOSFET更适合低电压小于250V、大占空比和高频大于200KHz的应用。] 实际应用例子 变频器用于工业和家用电机驱动中控制电机转速和扭矩输出。电机驱动器用于控制各种类型的电机如感应电动机、同步电动机等。电网稳定器在电力系统中用于调节电压和电流以确保电网稳定和负载管理。
实例
1. MOSFET实例 AO3400A Layer 1 G NMOS 箭头指向G极的是N沟道 S D 属性参数值商品目录场效应管(MOSFET)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)5.8A功率(Pd)1.4W导通电阻(RDS(on)Vgs,Id)35mΩ10V,5.8A阈值电压(Vgs(th)Id)1.4V250uA栅极电荷(QgVgs)12nC4.5V输入电容(CissVds)1.05nF15V反向传输电容(CrssVds)-工作温度-55℃~150℃(Tj)
注AO3401A为P沟道MOSFET。
2. IGBT实例 IKW50N65H5 Layer 1 IGBT E C G 特点与优势详细信息高速H5技术提供- 在硬开关和谐振拓扑中具有最佳效率可以插拔替换前一代IGBT击穿电压650V I C I_C IC50A最大工作温度,最大结温 T v j m a x T_{vjmax} Tvjmax175°C V C E s a t V_{CEsat} VCEsat1.65V
击穿的IGBT可以将三极管部分集电极断开当作二极管使用。二极管的ID和耐压和管子的一样比如1350V20A的IGBT二极管的参数就是1350V20A
