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GR2103封装和丝印
GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片#xff0c;设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压#xff08;UVLO#xff09;保护功能#xff0c;防止功率管在过低的电压下工作#xff0c;提高效率。内置防止直通功能…产品简介
GR2103封装和丝印
GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压UVLO保护功能防止功率管在过低的电压下工作提高效率。内置防止直通功能和死区时间防止功率管发生直通有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。
参考价格(20250117) 1¥0.458/个 4000¥0.318/个4000 pcs/盘
产品特点
悬浮绝对电压620V 高端输出与高端输入同相 低端输出与低端输入反相 VCC欠压保护(UVLO) 3.3V/5V输入逻辑兼容 封装形式S0P8、S0IC8 工作电压 10V~20V 拉电流(IOH) 600uA 灌电流(IOL) 600uA 负载类型 IGBT 驱动通道数 2 驱动配置 半桥
产品用途 电机驱动 DC-DC 转换器
封装形式和管脚功能定义 管脚序号管脚定义功能说明1VCC低侧供电电压2HIN高侧输入3LIN低侧输入4GND接地5LO低侧输出6VS高侧悬浮地电压7HO高侧输出8VB高侧悬浮绝对电压
典型应用电路 C1电源滤波电容根据电路情况可选择1μF~100μF尽可能的靠近芯片管脚。 R1 R2栅极驱动电阻阻值根据被驱动器件而定。 D3自举二极管应选择高反向击穿电压的肖特基二极管。 C2自举电容应选择陶瓷电容或钽电容根据电路情况可选择 1μF~50μF电容应尽可能的靠近芯片管脚。 VCC建议接12~15V 低压电源。 HIN、LIN̅̅̅̅̅接逻辑控制信号。 NMOS 管:依据应用选择相应耐高压的功率器件。 注以上线路及参数仅供参考实际的应用电路根据实测结果设定参数。
推荐工作条件
参数名称符号最小值最大值单位高侧浮动绝对电压VBVS10VS20V高侧浮动偏移电压VS-5600V高侧输出电压VHOVSVBV低侧供电电压VCC1020V低侧输出电压VLO0VCCV逻辑输入电压VIN0VCCV工作温度T A060℃
电学特性参数
TA 25CVCCVB15VVSGND除特别注明外。
项目符号测试条件最小值典型值最大值单位高电平输入阈值电压VIH2.7––V低电平输入阈值电压VIL––0.8VV CC 欠压保护跳闸电压VCCUV–9.39.8VV CC 欠压保护复位电压VCCUV-7.38.8–VV CC 欠压保护迟滞电压VCCUVH–0.5–V悬浮电源漏电流ILKVB VS 180V–0.15.0μAV BS 静态电流IQBSVIN 0V 或 5V––200μAV CC 静态电流IQCCLVIN 0V–90600uAV CC 静态电流IQCCHVIN 5V–170600uALIN 高电平输入偏置电流ILINVLIN 0V–30120μALIN低电平输入偏置电流ILIN-VLIN 5V––2μAHIN高电平输入偏置电流IHINVHIN 5V–20120μAHIN低电平输入偏置电流IHIN-VHIN 0V––2μA输出高电平电压VOHIO 20mA–0.20.3V输出低电平电压VOLIO 20mA–0.060.2VV S 静态负压VSN–-6.0–V
交流 开关 特性
T A 25℃VCCVB15VVSGND 除非特别指定见测试方法
项目符号测试条件最小值典型值最大值单位输出开延时tonCL1nF–300–ns输出关延时toffCL1nF–130–ns输出上升时间trCL1nF–10–ns输出下降时间tfCL1nF–10–ns死区时间DT–280–ns
原理框图 逻辑真值表
输入信号输入信号输出输出HIN/LINHOLO0001010010001110
逻辑输入输出波形示意图 时间测试方法
1 、 开关特性波形示意图 2 、死区时间测试
